IGBT模块
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NCE（新洁能）IPM、PIM 选型表
NCE（新洁能）提供如下IPM、PIM的米兰(中国)选型，IC(A) Tj=100℃范围：+15~+820；5.5V VTH-Typ；VCE(sat)(V) @VGE=15V Typ范围：+1.25~+2；VCE(sat)(V) @VGE=15V Max范围：+1.5~+2.4；1~40KHz Switching Frequency，Tsc(us)范围：+5~+10；Voltage（V)范围：+650~+1700.....新洁能的IGBT Module通过工艺与器件结构优化，以先进的IGBT芯片米兰(中国)为基础，以保证产品工作效率较好；同时可以提供各种通用的封装外形和电路拓扑的IGBT功率模块产品，满足不同的应用要求。新洁能的PIM可以广泛用于工业变频、工业逆变、新能源、汽车电子等领域。
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产品型号
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品类
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Package
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IC(A) Tj=100℃
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VTH-Typ(V)
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VCE(sat)(V) @VGE=15V Typ
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VCE(sat)(V) @VGE=15V Max
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Switching Frequency
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Tsc (us)
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Voltage（V)
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NCEM600C120FAH1
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IGBT Module
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H3
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600
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5.5
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1.55
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1.8
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1~20Khz
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5
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1200
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选型表 - NCE 立即选型
阿基米德半导体IGBT功率模块/IGBT分立器件选型表
阿基米德半导体推出高性能MOSFET/IGBT、Hybrid/ SiC SBD/MOSFET功率模块、分立器件产品，涵盖650V~1700V电压等级，产品主要应用于新能源汽车/光伏/储能/充电桩/数据中心/电能质量等领域。
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产品型号
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品类
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Package
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VCE(V)
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IC(A)
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VCE(sat)(V)
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VGE(th)(V)
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Eon(mJ)
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Eoff(mJ)
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AMG160L12F1H3RA
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IGBT功率模块
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ACF-1
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1200
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160
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1.98
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5.8
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1.48
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2.04
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选型表 - 阿基米德半导体 立即选型
广告 发布时间 : 2025-02-17
长晶科技IGBT选型表
长晶科技提供如下IGBT的米兰(中国)选型:VCES(V)范围：+650~+1700；Ic@Tc=100℃(A)范围：+6~+600；Ic@Tc=25℃(A)范围：+12~+170；Vcesat(V)范围：+1.5~+1.8；Eon(mJ)范围：+0.052~+145.....具有industrial、automotive两种Product Grade，Diode Type:SiC，长晶科技的IGBT有TO-263、TO-220FA、TO-247、TO-247plus等多种封装形式，可广泛应用于汽车,工业,电源,家电,电脑周边,通讯,照明,医疗,新能源,电汽等领域。
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产品型号
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品类
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Status
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VCES(V)
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Ic@Tc=100℃(A)
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Vcesat(V)
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Switching Frequency(KHZ)
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Short Current Withstand Time(us)
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Eon(mJ)
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Eoff(mJ)
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Configuration
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Package
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MCF100N120S2B1_B1
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IGBT模块
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Ready
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1200
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100
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1.6
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8~20
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10
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10.4
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2
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half-bridge
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B1
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选型表 - 长晶科技 立即选型
ROHM IGBT选型表
提供电压范围600-1800V，电流范围3-80A的IGBT单管（场截止沟槽型IGBT/Field Stop Trench IGBT）选型，8种行业标准封装，工业级和车规级产品。
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产品型号
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品类
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电压（V）
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电流(A)
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内置二极管
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封装
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器件等级
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RGT50NS65DGTL
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Field Stop Trench IGBT
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650V
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25A
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FRD
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LPDS(TO-263S)(D2PAK)
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Industrial Grade
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选型表 - ROHM 立即选型
VINCOTECH-IGBT功率模块选型表
VINCOTECH提供以下米兰(中国)参数的IGBT功率模块产品选型，VOLTAGEIN：600-1800V，CURRENTIN：4-1800A
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产品型号
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品类
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SUB-TOPOLOGY
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PRODUCT LINE
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VOLTAGEIN（V）
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CURRENTIN(A)
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MAIN CHIP TECHNOLOGY
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HOUSING FAMILY
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HEIGHTIN（mm）
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ISOLATION
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10-PG06PPA030SJ-LJ02B08T
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IGBT功率模块
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CIP-OE-Shunt-NTC
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flowPIM® 1 + PFC
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600
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30
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IGBT fast
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flow 1
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12
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Al2O3
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选型表 - VINCOTECH 立即选型
IGBT模块相关授权代理品牌：
PARA LIGHT IGBT选型表
PARA LIGHT提供IGBT管和IGBT模块选型表产品，Bvce：650V~1200V，ID：50A~600A
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产品型号
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品类
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封装
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电压
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电流(max)
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PD
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ESD
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工作温度
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L-C19F1RGBCT-CA
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IGBT模块
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EIA STD
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VR:5V
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IF:25mA
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60mW~75mW
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1000V
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-40℃~85℃
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选型表 - PARA LIGHT 立即选型
扬杰科技IGBT模块/单管选型表
扬杰科技提供IGBT模块、IGBT单管产品，提供如下参数产品：IGBT模块：集电极-发射极电压1200V，直流集电极电流10A~450A，集电极-发射极饱和电压1.75V~3V，开启开关损耗1.53mJ~91mJ；IGBT单管：集电极-发射极电压650V~1200V，直流集电极电流10A~160A，集电极-发射极饱和电压1.25V~2.1V，开启开关损耗0.65mJ~8.62mJ。
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产品型号
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品类
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Package
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VCES_Min(V)
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IC@TC=80℃(A)
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VCE(sat)_Typ(V)
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Eon+Eofftyp.Tj=125℃（mJ）
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Rth(j-c)_Max((℃/W)
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MG75P12E2A
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IGBT模块
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E2A
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1200
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75
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1.85
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15.2
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0.339
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选型表 - 扬杰科技 立即选型
瑶芯微IGBT选型表
瑶芯微（ALKAIDSEMI）提供如下IGBT产品的米兰(中国)选型，具有IGBT + FRD两种类型，VCES/VF(V)范围：+650~+1200，ICE/IF(A)范围: +40~+100；VCE sat(V)范围：+1.65~+2；Vth(V)范围：+4~+5.8；VF(V)范围：+1.35~+1.9....瑶芯微的IGBT产品具有TO-247PLUS-3L、TO-247-3L等多种封装形式可广泛应用于家电 、工业变频、车载逆变、工控、新能源等领域。
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产品型号
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品类
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IC(A)
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VCE(V)
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VCESAT(V)
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VGE(th)_Typ(V)
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VF(V)
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Package
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AKB65A075WHH
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IGBT
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75
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650
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1.6
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4
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1.5
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TO-247-3L
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选型表 - 瑶芯微 立即选型
SHEIER IGBT模块选型表
乐山希尔（SHEIER）提供如下IGBT模块的米兰(中国)选型，Repetitive Peak Reverse Voltage覆盖：1000~2000V；Maximum Average Rectified Current ：75~200A；Maximum Forward Peak Surge Current：950~6600A；Maximum Forward Voltage：1.2~1.5V；
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产品型号
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品类
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Repetitive Peak Reverse Voltage（V）
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Maximum Average Rectified Current （A）
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Maximum Forward Peak Surge Current（A）
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Maximum Forward Voltage（V）
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Maximum Reverse Current(μA)（Tj=25℃）
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Maximum Reverse Current(μA)（Tj=150℃）
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Junction Temperature（℃）
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Insulating Voltage（V）
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Package
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MDS75DB160
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IGBT模块
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1600
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75
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950
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1.25
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5
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500
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-40～+150
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2000
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MDS-DB
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选型表 - SHEIER 立即选型
Eaton Bussmann 170M17xx Series fuse选型表
螺栓标签高速熔断器。用于保护IGBT模块的高速熔断器链路，优化用于直流链路电压高达750Vdc的IGBT逆变器电路。低电感≤15nH。
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产品型号
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品类
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Rated Voltage (V)
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Rated Current RMS-Amp
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I2t (A2 Sec) Pre arc
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I2t (A2 Sec) Clearing at 690V
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Watt Loss (W)
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Type
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Fuse Size
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170M1750
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fuse
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690
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25
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25
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135
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12
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-FU/70
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000
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选型表 - EATON BUSSMANN 立即选型
中微半导体IGBT选型表
中微半导体提供以下IGBT参数选型，VCE：600V-1350V，VGE：5.5±V、5.8±V、6.2±V，IC(100℃)：7A-50A。
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产品型号
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品类
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封装形式
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VCE(V)
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VGE(±V)
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IC(100℃)(A)
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VCESAT(V)TYP.@IC,15V
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VF(V)TYP.@IC
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VGEth(V)
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CMS007G060T63B
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IGBT
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TO-263
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600V
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5.5±V
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7A
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1.5V
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1.5V
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5.5V
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选型表 - 中微半导体 立即选型
美林电子IGBT选型表
美林电子选型表，包含IGBT芯片、IGBT模块、IGBT单管，电压650V-1700V
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产品型号
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品类
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电压(V)
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电流(A)
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频率
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VCEsat(Typ@25℃)(V)
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IFmax(@100℃)(A)
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VF(Typ@25℃)(V)
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拓扑
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米兰(中国)
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MG200MB170BTH1
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IGBT模块
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1700V
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200A
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通用\Low
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2.1V
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200A
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1.78V
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half-bridge
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Trench&FS
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选型表 - 美林电子 立即选型
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电子商城
现货市场
服务
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m，厚度2mm-100mm，单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量： 1片 提交需求>
可定制高压电源模块的输入电压100VDC-2000VDC、功率范围5W-500W/4W-60W； 高压输出电源模块的输出电压100VDC-2000VDC。功率范围：4W-60W。
提交需求>